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NTMFS4852N
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
11
5000
4000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
Q T
V GS
3000
2000
1000
0
0
C oss
C rss
5
10
15
20
25
30
6
5
4
3
2
1
0
0
Q gs
10
Q gd
20
30
40
50
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
60 70
80
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
400
I D = 49 A
100
10
1
V GS = 30 V
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
300
200
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
100
0.01
0.01
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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